PCB基板升级覆铜板技术详解

就我国覆铜板（CCL）产业未来发展战略的重点任务而言，在PCB产品方面，要在几大类PCB基基板新材料上下功夫，即通过开发五大类新型基板材料和技术的突破，我国覆铜板前沿技术得到提升。下面列出的这些新型高性能覆铜板产品的开发，是我国覆铜板行业PCB工程技术人员未来研发的重点课题。

无铅兼容覆铜板

2002年10月11日欧盟会议通过了两项关于环境保护的“欧洲指令”。他们将于2006年7月1日正式实施该决议。这两个“欧洲指令”指的是“电气电子产品废弃物指令”（简称WEEE）和“某些有害物质的使用限制令”（RoHS）简称）。在这两个监管指令中，明确提到了含铅材料的使用。因此，应对这两个指令的最好办法是尽快开发无铅覆铜板。

高性能覆铜板

pcb board

这里所指的高性能覆铜板包括低介电常数（Dk）覆铜板、高频高速PCB用覆铜板、高耐热覆铜板、叠层多层板用各种基板材料（覆树脂铜箔、构成层压多层板绝缘层的有机树脂薄膜、玻璃纤维增强或其他有机纤维增强半固化片等）。未来几年（至2010年），在这种高性能覆铜板的开发中，根据未来电子安装技术发展的预测，应达到相应的性能指标值。

IC封装载体基板材料

开发用于IC封装载板（又称IC封装基板）的基板材料是一个非常重要的课题。发展IC封装和微电子技术也是我国的迫切需要。随着IC封装向高频、低功耗方向发展，IC封装基板的低介电常数、低介电损耗、高导热等重要性能将得到提高。基板热连接技术-热发射等的有效热协调与集成是未来研发的一个重要课题。

为了保证IC封装设计的自由度和IC封装新技术的开发，进行模型试验和仿真试验是必不可少的。这两项工作对于掌握IC封装用基板材料的特性要求，即了解和掌握其电性能、加热和冷却性能、可靠性等要求具有重要意义。此外，还应与IC封装的PCB设计行业进一步沟通，达成共识。所开发的基板材料的性能，将及时提供给整机PCB产品的设计人员，使设计人员建立准确、先进的数据库。

IC封装载体还需要解决与半导体芯片热膨胀系数不一致的问题。即使是适用于微电路制作的积层法多层板，也存在绝缘基板的热膨胀系数普遍偏大的问题（一般热膨胀系数为60ppm/℃）。但基板的热膨胀系数约为6ppm，与半导体芯片接近，这对基板制造技术来说确实是一个“高难度挑战”。

为了适应高速发展，基板的介电常数要达到2.0，介质损耗因数要接近0.001。为此，预计2005年左右，全球将出现超越传统基板材料和传统制造工艺界限的新一代印制电路板。技术上的突破，首先是在新型基板的使用上材料。

预测未来IC封装设计与制造技术的发展，对基板材料的要求更加严格。这主要表现在以下几个方面：

1、无铅助焊剂对应的高Tg性能。

2、实现与特性阻抗相匹配的低介质损耗因数。

3、高速对应的低介电常数（ ε 应接近2）。

4、低翘曲（改善基板表面平整度）。

5、吸湿性低。

6、低热膨胀系数，使热膨胀系数接近6ppm。

7、IC封装载体成本低。

8、用于嵌入式元件的低成本基板材料。

9、提高基本机械强度以提高抗热震性。基板材料适用于从高到低的温度循环，而不会降低性能。